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    半導體器件元器件基礎知識

    日期:2022-03-09 04:29
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    摘要: 電子元器件基礎知識——半導體器件 一、 中國半導體器件型號命名方法 半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下: **部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 **部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:...

     

    電子元器件基礎知識——半導體器件

     

    一、 中國半導體器件型號命名方法
    半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下:
    **部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管
    **部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
    第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
    第四部分:用數字表示序號
    第五部分:用漢語拼音字母表示規格號
    例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

    日本半導體分立器件型號命名方法
    二、日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:
    **部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
    **部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
    第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是近期產品。
    第五部分: 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。

    美國半導體分立器件型號命名方法
    三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下:
    **部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非軍用品。
    **部分:用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。
    第三部分:美國電子工業協會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。
    第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。
    第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管,JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

    四、 國際電子聯合會半導體器件型號命名方法
    德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義如下:
    **部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
    **部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。
    第三部分:用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。
    第四部分:用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。
    除四個基本部分外,有時還加后綴,以區別特性或進一步分類。常見后綴如下:
    1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的**部分是一個字母,表示穩定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴**部分是數字,表示標稱穩定電壓的整數數值;后綴的第三部分是字母V,代表小數點,字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。
    2、整流二極管后綴是數字,表示器件的*大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
    3、晶閘管型號的后綴也是數字,通常標出*大反向峰值耐壓值和*大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。
    如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

    五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
    歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用如下命名方法。
    **部分:O-表示半導體器件
    **部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
    第三部分:多位數字-表示器件的登記序號。
    第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產品。
    俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。

    一、半導體二極管參數符號及其意義
    CT---勢壘電容
    Cj---結(極間)電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結電容
    Cjo/Cjn---結電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的優良變化之比
    CTC---電容溫度系數
    Cvn---標稱電容
    IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的*大工作電流(平均值),硅開關二極管在額定功率下允許通過的*大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向*大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的*大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復峰值電流
    IFSM---正向不重復峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光電流或穩流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與**基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---*大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩壓二極管在反向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波*高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重復電流
    IRRM---反向重復峰值電流
    IRSM---反向不重復峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---*大正向(整流)電流。在規定條件下,能承受的正向*大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的*大工作電流
    IZSM---穩壓二極管浪涌電流
    IZM---*大穩壓電流。在*大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢復電流
    Iop---工作電流
    Is---穩流二極管穩定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---*大開關功率
    PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的*大功率
    PMP---*大漏過脈沖功率
    PMS---*大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---*大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重復浪涌功率
    PZM---*大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的*大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負載電阻
    Rs(rs)----串聯電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---動態電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢復時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---*高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢復時間
    ts---存儲時間
    tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與**基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---*大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重復峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---*大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(*高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點電壓
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝點電壓(穩流二極管)
    VL ---極限電壓
    二、雙極型晶體管參數符號及其意義
    Cc---集電極電容
    Ccb---集電極與基極間電容
    Cce---發射極接地輸出電容
    Ci---輸入電容
    Cib---共基極輸入電容
    Cie---共發射極輸入電容
    Cies---共發射極短路輸入電容
    Cieo---共發射極開路輸入電容
    Cn---中和電容(外電路參數)
    Co---輸出電容
    Cob---共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容
    Coe---共發射極輸出電容
    Coeo---共發射極開路輸出電容
    Cre---共發射極反饋電容
    Cic---集電結勢壘電容
    CL---負載電容(外電路參數)
    Cp---并聯電容(外電路參數)
    BVcbo---發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
    BVceo---基極開路,CE結擊穿電壓
    BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓
    BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
    BV cer---基極與發射極串接一電阻,CE結擊穿電壓
    D---占空比
    fT---特征頻率
    fmax---*高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率
    hFE---共發射極靜態電流放大系數
    hIE---共發射極靜態輸入阻抗
    hOE---共發射極靜態輸出電導
    h RE---共發射極靜態電壓反饋系數
    hie---共發射極小信號短路輸入阻抗
    hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數
    hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數
    hoe---共發射極小信號開路輸出導納
    IB---基極直流電流或交流電流的平均值
    Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
    IE---發射極直流電流或交流電流的平均值
    Icbo---基極接地,發射極對地開路,在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
    Iceo---發射極接地,基極對地開路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向截止電流
    Iebo---基極接地,集電極對地開路,在規定的反向電壓VEB條件下,發射極與基極之間的反向截止電流
    Icer---基極與發射極間串聯電阻R,集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時,集電極與發射極之間的反向截止電流
    Ices---發射極接地,基極對地短路,在規定的反向電壓VCE條件下,集電極與發射極之間的反向截止電流
    Icex---發射極接地,基極與發射極間加指定偏壓,在規定的反向偏壓VCE下,集電極與發射極之間的反向截止電流
    ICM---集電極*大允許電流或交流電流的*大平均值。
    IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內,能連續地通過基極的直流電流的*大值,或交流電流的*大平均值
    ICMP---集電極*大允許脈沖電流
    ISB---二次擊穿電流
    IAGC---正向自動控制電流
    Pc---集電極耗散功率
    PCM---集電極*大允許耗散功率
    Pi---輸入功率
    Po---輸出功率
    Posc---振蕩功率
    Pn---噪聲功率
    Ptot---總耗散功率
    ESB---二次擊穿能量
    rbb'---基區擴展電阻(基區本征電阻)
    rbb'Cc---基極-集電極時間常數,即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
    rie---發射極接地,交流輸出短路時的輸入電阻
    roe---發射極接地,在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
    RE---外接發射極電阻(外電路參數)
    RB---外接基極電阻(外電路參數)
    Rc ---外接集電極電阻(外電路參數)
    RBE---外接基極-發射極間電阻(外電路參數)
    RL---負載電阻(外電路參數)
    RG---信號源內阻
    Rth---熱阻
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Ts---結溫
    Tjm---*大允許結溫
    Tstg---貯存溫度
    td----延遲時間
    tr---上升時間
    ts---存貯時間
    tf---下降時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    VCB---集電極-基極(直流)電壓
    VCE---集電極-發射極(直流)電壓
    VBE---基極發射極(直流)電壓
    VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的*高耐壓
    VEBO---基極接地,集電極對地開路,發射極與基極之間在指定條件下的*高耐壓
    VCEO---發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的*高耐壓
    VCER---發射極接地,基極與發射極間串接電阻R,集電極與發射極間在指定條件下的*高耐壓
    VCES---發射極接地,基極對地短路,集電極與發射極之間在指定條件下的*高耐壓
    VCEX---發射極接地,基極與發射極之間加規定的偏壓,集電極與發射極之間在規定條件下的*高耐壓
    Vp---穿通電壓。
    VSB---二次擊穿電壓
    VBB---基極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vcc---集電極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VEE---發射極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VCE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
    VBE(sat)---發射極接地,規定Ic、IB條件下,基極-發射極飽和壓降(前向壓降)
    VAGC---正向自動增益控制電壓
    Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
    V n---噪聲電壓
    Cj---結(極間)電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
    Cjv---偏壓結電容
    Co---零偏壓電容
    Cjo---零偏壓結電容
    Cjo/Cjn---結電容變化
    Cs---管殼電容或封裝電容
    Ct---總電容
    CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的優良變化之比
    CTC---電容溫度系數
    Cvn---標稱電容
    IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的*大工作電流(平均值),硅開關二極管在額定功率下允許通過的*大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
    IF(AV)---正向平均電流
    IFM(IM)---正向峰值電流(正向*大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的*大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。
    IH---恒定電流、維持電流。
    Ii--- 發光二極管起輝電流
    IFRM---正向重復峰值電流
    IFSM---正向不重復峰值電流(浪涌電流)
    Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
    IF(ov)---正向過載電流
    IL---光電流或穩流二極管極限電流
    ID---暗電流
    IB2---單結晶體管中的基極調制電流
    IEM---發射極峰值電流
    IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與**基極間反向電流
    IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
    ICM---*大輸出平均電流
    IFMP---正向脈沖電流
    IP---峰點電流
    IV---谷點電流
    IGT---晶閘管控制極觸發電流
    IGD---晶閘管控制極不觸發電流
    IGFM---控制極正向峰值電流
    IR(AV)---反向平均電流
    IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩壓二極管在反向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波*高反向工作電壓下的漏電流。
    IRM---反向峰值電流
    IRR---晶閘管反向重復平均電流
    IDR---晶閘管斷態平均重復電流
    IRRM---反向重復峰值電流
    IRSM---反向不重復峰值電流(反向浪涌電流)
    Irp---反向恢復電流
    Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
    Izk---穩壓管膝點電流
    IOM---*大正向(整流)電流。在規定條件下,能承受的正向*大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的*大工作電流
    IZSM---穩壓二極管浪涌電流
    IZM---*大穩壓電流。在*大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流
    iF---正向總瞬時電流
    iR---反向總瞬時電流
    ir---反向恢復電流
    Iop---工作電流
    Is---穩流二極管穩定電流
    f---頻率
    n---電容變化指數;電容比
    Q---優值(品質因素)
    δvz---穩壓管電壓漂移
    di/dt---通態電流臨界上升率
    dv/dt---通態電壓臨界上升率
    PB---承受脈沖燒毀功率
    PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
    PFTM---正向峰值耗散功率
    PFT---正向導通總瞬時耗散功率
    Pd---耗散功率
    PG---門極平均功率
    PGM---門極峰值功率
    PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
    Pi---輸入功率
    PK---*大開關功率
    PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的*大功率
    PMP---*大漏過脈沖功率
    PMS---*大承受脈沖功率
    Po---輸出功率
    PR---反向浪涌功率
    Ptot---總耗散功率
    Pomax---*大輸出功率
    Psc---連續輸出功率
    PSM---不重復浪涌功率
    PZM---*大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的*大功率
    RF(r)---正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻
    RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
    RE---射頻電阻
    RL---負載電阻
    Rs(rs)----串聯電阻
    Rth----熱阻
    R(th)ja----結到環境的熱阻
    Rz(ru)---動態電阻
    R(th)jc---結到殼的熱阻
    r δ---衰減電阻
    r(th)---瞬態電阻
    Ta---環境溫度
    Tc---殼溫
    td---延遲時間
    tf---下降時間
    tfr---正向恢復時間
    tg---電路換向關斷時間
    tgt---門極控制極開通時間
    Tj---結溫
    Tjm---*高結溫
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tr---上升時間
    trr---反向恢復時間
    ts---存儲時間
    tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
    a---溫度系數
    λp---發光峰值波長
    △ λ---光譜半寬度
    η---單結晶體管分壓比或效率
    VB---反向峰值擊穿電壓
    Vc---整流輸入電壓
    VB2B1---基極間電壓
    VBE10---發射極與**基極反向電壓
    VEB---飽和壓降
    VFM---*大正向壓降(正向峰值電壓)
    VF---正向壓降(正向直流電壓)
    △VF---正向壓降差
    VDRM---斷態重復峰值電壓
    VGT---門極觸發電壓
    VGD---門極不觸發電壓
    VGFM---門極正向峰值電壓
    VGRM---門極反向峰值電壓
    VF(AV)---正向平均電壓
    Vo---交流輸入電壓
    VOM---*大輸出平均電壓
    Vop---工作電壓
    Vn---中心電壓
    Vp---峰點電壓
    VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
    VRM---反向峰值電壓(*高測試電壓)
    V(BR)---擊穿電壓
    Vth---閥電壓(門限電壓)
    VRRM---反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓)
    VRWM---反向工作峰值電壓
    V v---谷點電壓
    Vz---穩定電壓
    △Vz---穩壓范圍電壓增量
    Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
    av---電壓溫度系數
    Vk---膝點電壓(穩流二極管)
    VL ---極限電壓
    三、場效應管參數符號意義
    Cds---漏-源電容
    Cdu---漏-襯底電容
    Cgd---柵-源電容
    Cgs---漏-源電容
    Ciss---柵短路共源輸入電容
    Coss---柵短路共源輸出電容
    Crss---柵短路共源反向傳輸電容
    D---占空比(占空系數,外電路參數)
    di/dt---電流上升率(外電路參數)
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數)
    ID---漏極電流(直流)
    IDM---漏極脈沖電流
    ID(on)---通態漏極電流
    IDQ---靜態漏極電流(射頻功率管)
    IDS---漏源電流
    IDSM---*大漏源電流
    IDSS---柵-源短路時,漏極電流
    IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流)
    IG---柵極電流(直流)
    IGF---正向柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGDO---源極開路時,截止柵電流
    IGSO---漏極開路時,截止柵電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGP---柵極峰值電流
    IF---二極管正向電流
    IGSS---漏極短路時截止柵電流
    IDSS1---對管**管漏源飽和電流
    IDSS2---對管**管漏源飽和電流
    Iu---襯底電流
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數)
    gfs---正向跨導
    Gp---功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    ggd---柵漏電導
    gds---漏源電導
    K---失調電壓溫度系數
    Ku---傳輸系數
    L---負載電感(外電路參數)
    LD---漏極電感
    Ls---源極電感
    rDS---漏源電阻
    rDS(on)---漏源通態電阻
    rDS(of)---漏源斷態電阻
    rGD---柵漏電阻
    rGS---柵源電阻
    Rg---柵極外接電阻(外電路參數)
    RL---負載電阻(外電路參數)
    R(th)jc---結殼熱阻
    R(th)ja---結環熱阻
    PD---漏極耗散功率
    PDM---漏極*大允許耗散功率
    PIN--輸入功率
    POUT---輸出功率
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數)
    to(on)---開通延遲時間
    td(off)---關斷延遲時間
    ti---上升時間
    ton---開通時間
    toff---關斷時間
    tf---下降時間
    trr---反向恢復時間
    Tj---結溫
    Tjm---*大允許結溫
    Ta---環境溫度
    Tc---管殼溫度
    Tstg---貯成溫度
    VDS---漏源電壓(直流)
    VGS---柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數)
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數)
    VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
    V(BR)DSS---漏源擊穿電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
    VDS(on)---漏源通態電壓
    VDS(sat)---漏源飽和電壓
    VGD---柵漏電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    Zo---驅動源內阻
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Vn---噪聲電壓
    aID---漏極電流溫度系數
    ards---漏源電阻溫度系數

    京公網安備 11010802025865號

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